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高功率、窄線寬177.3nm深紫外激光輸出在我國首次實現(xiàn)

發(fā)布時間:2013-05-23 作者: 來源:科技部 瀏覽:1341

      在“十二五”863計劃新材料領(lǐng)域“先進激光材料及全固態(tài)激光技術(shù)”主題項目支持下,中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所承擔(dān)的“深紫外激光器及人工晶體關(guān)鍵技術(shù)”課題取得重大進展,于近期通過了課題技術(shù)驗收。
    深紫外激光由于波長短、光子能量高,因而在高分辨率成像、光譜應(yīng)用、微細加工等諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值,獲得實用化、精密化的深紫外光源一直是科學(xué)家們不斷追求的目標。我國在深紫外晶體材料和激光技術(shù)領(lǐng)域具有國際領(lǐng)先優(yōu)勢,但隨著應(yīng)用的發(fā)展,急需更高性能的深紫外全固態(tài)激光源(DUV-DPL),如更高功率、更窄線寬。
    該課題在國際上首次實現(xiàn)高功率、窄線寬177.3nm深紫外激光輸出,解決了大尺寸KBBF 族深紫外晶體生長、優(yōu)質(zhì)KBBF-PCT器件研制、高效深紫外倍頻技術(shù)、窄線寬深紫外激光產(chǎn)生技術(shù)等關(guān)鍵問題,KBBF晶體厚度突破4mm,首次獲得了大功率(146.5 mW)、窄線寬(0.88 pm)的177.3 nm深紫外激光輸出。
    課題完善、鞏固了我國擁有的深紫外自主知識產(chǎn)權(quán)體系,填補了直接倍頻產(chǎn)生高功率、窄線寬深紫外激光的空白,擴展了深紫外激光可實用化、精密化應(yīng)用。

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