最近，IBM研究人員在瑞士蘇黎世首次展示了多位相變存儲器技術(shù)。
    
      相變存儲器利用各種合金材料在結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)下電阻由低至高的變化特性，通過不同的電壓和電流脈沖觸發(fā)，實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。IBM蘇黎世研究中心的科學(xué)家采用先進的調(diào)制編碼技術(shù)，成功抑制了相變存儲器短期電阻漂移問題，這一問題會導(dǎo)致存儲阻力和讀取錯誤。IBM多位相變存儲技術(shù)滿足每單元存儲多位數(shù)據(jù)的高存儲容量需求，斷電時存儲數(shù)據(jù)不丟失，寫入和檢索數(shù)據(jù)速度比目前閃存存儲器快100倍，并可持續(xù)使用至少1千萬次。
  
      IBM多位相變存儲技術(shù)的重大突破將為手機、云存儲以及企業(yè)大型數(shù)據(jù)存儲提供價廉、快速、耐久的存儲設(shè)備。權(quán)威人士稱，多位相變存儲技術(shù)由于具備存儲速度快、耐久性、非易失性和高密度存儲特征，在未來5年內(nèi)將引導(dǎo)IT企業(yè)和存儲系統(tǒng)的重大革新，尤其能夠滿足云存儲和數(shù)據(jù)處理需求。