近日，復(fù)旦大學(xué)對(duì)外發(fā)布，復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲(chǔ)器的研究中取得重大進(jìn)展。

      江安全帶領(lǐng)的研究小組與中科院物理所、首爾大學(xué)、劍橋大學(xué)等教授合作，基于BiFeO3薄膜，證明了一種鐵電自發(fā)極化方向調(diào)制的p-n結(jié)電流，可運(yùn)用于高密度信息的非揮發(fā)存儲(chǔ)。這也就意味著，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中，讀寫速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲(chǔ)器有望誕生，其原理已經(jīng)取得實(shí)驗(yàn)證實(shí)。

      據(jù)江安全介紹，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內(nèi)的存儲(chǔ)容量比現(xiàn)有的電容存儲(chǔ)器等有了巨大的提升空間。

      在未來(lái)，像現(xiàn)有U盤大小的存儲(chǔ)器可以有幾十G的存儲(chǔ)量，將不再是夢(mèng)想。除了信息高密度存儲(chǔ)和快速擦寫特性，鐵電存儲(chǔ)器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點(diǎn)，具有極大的產(chǎn)業(yè)化潛力，尤其是在電子標(biāo)簽、移動(dòng)電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數(shù)碼相機(jī)等耗電少的電子產(chǎn)品中將率先得到應(yīng)用和發(fā)展。比如，在電子標(biāo)簽領(lǐng)域，也就是我們所熟悉的“條形碼”，在提高每個(gè)幾分錢成本的前提下，使用鐵電存儲(chǔ)器可以大大節(jié)省結(jié)賬的時(shí)間，原本需要逐一掃描的條形碼可以成批同時(shí)掃描。