據(jù)香港中通社報(bào)道，臺(tái)灣“國(guó)研院”納米(臺(tái)稱“奈米”)組件實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)先全球，開發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個(gè)新內(nèi)存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內(nèi)可儲(chǔ)存 1個(gè)圖書館的文字?jǐn)?shù)據(jù)，將讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無(wú)限發(fā)揮的可能性，這項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)在5到10年內(nèi)進(jìn)入批量生產(chǎn)。

　　負(fù)責(zé)“9納米超節(jié)能內(nèi)存”開發(fā)的何家驊博士說(shuō)，隨著可攜式3C產(chǎn)品對(duì)體積越來(lái)越小以及容量越來(lái)越大的需求日益增加，如何能研發(fā)出體積更小、記憶量更大的內(nèi)存，是全球研究人員努力的目標(biāo)。

　　如今臺(tái)灣開發(fā)出最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞，容量比現(xiàn)在的閃存增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應(yīng)用這個(gè)技術(shù)在1平方厘米面積下，可以儲(chǔ)存1個(gè)圖書館的文字?jǐn)?shù)據(jù)，而且可再借立體堆棧設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升容量，讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無(wú)限發(fā)揮的可能性。

　　這項(xiàng)重要開發(fā)成果已于12月8日在美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議正式發(fā)表，引起國(guó)際微電子產(chǎn)學(xué)研界高度重視。