日本Stack電子開(kāi)發(fā)出了可準(zhǔn)確測(cè)量微小電場(chǎng)分布狀態(tài)的光外差法光電效應(yīng)電場(chǎng)探測(cè)器“LEO-Probe”.該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機(jī)構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開(kāi)發(fā)，適用于電子設(shè)備的EMC測(cè)量、天線附近的電場(chǎng)測(cè)量、開(kāi)發(fā)高頻電路時(shí)的驗(yàn)證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場(chǎng)測(cè)量以及超高速半導(dǎo)體的運(yùn)行狀態(tài)分析等。

　　目前，無(wú)線通信的使用頻率日益增高，而且隨著以個(gè)人電腦為代表的電路運(yùn)行速度的提高，越來(lái)越多的用戶希望能夠測(cè)量電磁場(chǎng)的強(qiáng)弱并了解其影響。人們通常采用以較小的金屬導(dǎo)體環(huán)形天線（LoopAntenna）等測(cè)量的方法，但這種方法存在想要測(cè)量的電磁場(chǎng)狀態(tài)會(huì)因金屬導(dǎo)體接近而發(fā)生改變的缺陷。

　　此次開(kāi)發(fā)的探測(cè)器則不存在這種缺陷，其特點(diǎn)是，可在幾乎不影響測(cè)量電場(chǎng)的情況下，測(cè)量出微小電場(chǎng)的狀態(tài)。此次利用了對(duì)特殊結(jié)晶材料施加電場(chǎng)時(shí)結(jié)晶材料的光折射率會(huì)發(fā)生改變的光電（EO）效應(yīng)，由于測(cè)量部分沒(méi)有使用金屬導(dǎo)體，因此可在幾乎不破壞電場(chǎng)的情況下進(jìn)行測(cè)量。另外，還采用了可在結(jié)晶材料內(nèi)部通過(guò)光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換使其產(chǎn)生中間頻率的光外差技術(shù)，從而能以較低的頻率完成信號(hào)處理。能以較高的靈敏度穩(wěn)定地檢測(cè)出高頻信號(hào)。

　　為了便于攜帶，探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了頂端部直徑約8mm、不含光纖部的長(zhǎng)度約65mm的外形尺寸。通過(guò)聚集導(dǎo)入結(jié)晶材料的光，實(shí)現(xiàn)了100μm以下的測(cè)量分辨率。

　　此次開(kāi)發(fā)試制的機(jī)型具備60MHz~2.5GHz的可檢測(cè)頻率范圍。預(yù)計(jì)今后會(huì)將最高頻率擴(kuò)大至數(shù)THz.該公司計(jì)劃在2009年度底之前改進(jìn)該產(chǎn)品，使其能夠檢測(cè)出40GHz左右的高頻信號(hào)。

　　另外，Stack電子還計(jì)劃在11月25日~27日于日本太平洋橫濱會(huì)展中心舉行的“微波展2009”上展出此次的試制機(jī)。