科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一普適通用的制造高分子納米線陣列的新方法。這些納米線陣列可廣泛應(yīng)用于不同的器件，并對(duì)高分子材料的發(fā)展起到重要的推動(dòng)作用。這一生長(zhǎng)及其控制方法發(fā)表于《先進(jìn)材料》（Advanced Materials，2009，21，2072）和《物理化學(xué)雜志C》（Journal of Physical Chemistry C，2009，113，16571）.
 
      無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米材料一直是人們研究的熱點(diǎn)，并取得了巨大的成功。然而，有機(jī)材料的相關(guān)研究則相當(dāng)缺乏并面臨種種困難。人們企圖用模板合成高分子納米線，但納米線從模板中分離相當(dāng)困難，并且分離后納米線的取向也不能保持。
 
      美國(guó)佐治亞理工學(xué)院（Georgia Institute of Technology）王中林教授的研究小組利用感應(yīng)耦合等離子（ICP）刻蝕發(fā)現(xiàn)了一種普適的制造高分子納米線陣列制備的方法。在ICP刻蝕高分子材料的過(guò)程中，刻蝕離子周?chē)鷪A錐狀的有效作用范圍和不均一表面的相互影響最終導(dǎo)致了高分子納米線的形成。該小組已經(jīng)用這一方法生長(zhǎng)出導(dǎo)電聚合物聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸（PEDOT-PSS），導(dǎo)電聚吡咯（PPY），感光性材料SU8，電子感光材料PMMA，壓電材料PVDF，廉價(jià)塑料材料聚苯乙烯（PS），光電材料MEH-PPV等近十種不同的高分子納米線/納米管，并且能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓級(jí)的生長(zhǎng)。通過(guò)濺射沉積的金屬納米顆粒的局域屏保作用，王教授小組能夠很好地控制高分子納米線的密度和長(zhǎng)度。王教授小組更進(jìn)一步利用PEDOT-PSS制備出有機(jī)發(fā)光二極管。納米線陣列具有很高的比表面積，這也極大地提高了器件的電流承載能力（基于PEDOT-PSS納米線陣列的有機(jī)發(fā)光二極管的最大承載電流密度是相應(yīng)有機(jī)薄膜發(fā)光二極管的40倍）。
 
      這一最新制備方法可以實(shí)現(xiàn)廉價(jià)、便捷、大規(guī)模高分子納米線陣列的生長(zhǎng)，并且對(duì)其生長(zhǎng)的圖形、密度、長(zhǎng)度實(shí)現(xiàn)控制。這些可控高分子納米線可用于柔性電子器件，有機(jī)發(fā)光二極管（OLED），有機(jī)太陽(yáng)能電池，生物傳感器，以及合成肌肉，從而對(duì)高分子材料的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用產(chǎn)生重要影響。