近日，中國科學院物理研究所研究員王恩哥、白雪冬等與武漢大學的同行合作，在硼碳氮納米管的結(jié)構(gòu)調(diào)控和性質(zhì)研究方面又取得了新進展。

　　研究人員采用等離子體輔助熱絲化學氣相沉積生長技術(shù)，在金屬襯底上直接生長硼碳氮/碳多壁納米管異質(zhì)結(jié)陣列。結(jié)構(gòu)分析表明，硼碳氮納米管和碳納米管具有高質(zhì)量的界面結(jié)構(gòu)。采用原子力顯微鏡對單個異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行電學測量，發(fā)現(xiàn)硼碳氮/碳多壁納米管異質(zhì)結(jié)具有優(yōu)良的整流特性。該研究結(jié)果一方面給出了單根多壁硼碳氮納米管純半導體性質(zhì)的直接實驗證據(jù)，另一方面為硼碳氮納米管的進一步器件應用研究奠定了基礎(chǔ)，這項工作是他們在輕元素納米結(jié)構(gòu)研究方面的又一項新的成果。詳細結(jié)果發(fā)表在近期的《美國化學會志》上。