IBM研發(fā)部門IBM Research日前宣布，首次在一條單層碳納米管上形成了環(huán)形振蕩器電路，并且成功使之運行在52MHz工作頻率下。據(jù)稱，與過去使用多條碳納米管試制的環(huán)形振蕩器相比，工作頻率高出了5～6位數(shù)。此項成果刊發(fā)在2006年3月24日發(fā)行的《科學(xué)》雜志上。 利用碳納米管形成的晶體管與硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，不僅可得到更高的電流密度，而且由于直徑只有數(shù)nm，因此更容易實現(xiàn)電路的微細(xì)化。從原理上來說，有可能制成工作頻率達(dá)THz級的電路。 此次試制的環(huán)形振蕩器電路大多是作為供半導(dǎo)體廠商對使用新的生產(chǎn)工藝和材料的芯片進(jìn)行測試的試金石來試制的。“目前，科學(xué)工作者太過分看重單個碳納米管晶體管的制作與改良了。我們則能夠通過試制的環(huán)形振蕩器，測試碳納米管電子在完整電路中所能達(dá)到的潛力”（IBM Research公司負(fù)責(zé)科技開發(fā)工作的副總裁T.C. Chen）。 IBM Research的研究人員在長18μm的SWCNT（單層碳納米管）上分別形成了6個p型和n型FET。n型FET和p型FET的金屬柵分別使用的是鋁（Al）和鈀（Pd）。并利用這2種FET在1條SWCNT上試制了6個CMOS轉(zhuǎn)換器（圖1）。由其中的5個CMOS轉(zhuǎn)換器形成了環(huán)形振蕩器電路，剩余的一個則用來消除測量儀器的影響。使該電路發(fā)生了振蕩，結(jié)果在工作電壓VDD＝0.5V條件下振蕩頻率達(dá)到了13MHz，在VDD＝0.92V的條件下則實現(xiàn)了52MHz（延遲時間為1.9ns）的振蕩頻率。 不過，目前來講仍與硅形成的環(huán)形振蕩器的振蕩頻率相差4位數(shù)以上。據(jù)IBM Research稱，振蕩頻率受電路的寄生電容控制，實際上碳納米管具有更大的潛力。