據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》15日報道，韓國科學家成功開發(fā)出電路線寬只有3納米的半導體技術，有望使電腦運算速度提高20多倍。 　　報道說，韓國科學技術院教授崔養(yǎng)圭等人開發(fā)出的硅半導體電路線寬僅3納米，相當于成人頭發(fā)絲直徑的4萬分之一。這種半導體采用新型三維結(jié)構(gòu)，可在常溫下保持良好的半導體功能。 　　科學家稱，該技術可應用于制造新一代電腦中央處理器、動態(tài)存儲器、靜態(tài)存儲器和閃存等。采用3納米半導體技術的中央處理器運算速度可達到100GHz，相當于現(xiàn)有產(chǎn)品的25倍。 　　此前，科學家認為利用硅材料只能制造出電路線寬最小5納米的半導體，并因此把硅半導體的最小集成規(guī)格限定為5納米?？茖W家預計，如果要制造小于5納米的半導體，必須采用碳納米管或分子材料。崔養(yǎng)圭等開發(fā)出的3納米硅半導體打破了這一看法。