英特爾周三表示，已經(jīng)制造出了45納米測(cè)試芯片，可能將在2007年下半年開(kāi)始45納米處理器、閃存芯片的發(fā)貨。 　　英特爾本月創(chuàng)造出的這種芯片是靜態(tài)SRAM內(nèi)存芯片，容量為153兆，包含十多億個(gè)半導(dǎo)體，與英特爾2000年生產(chǎn)的包含1800萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體的130納米內(nèi)存尺寸差不多。雖然僅僅是測(cè)試芯片，但是這表明英特爾的整體制造戰(zhàn)略仍然按計(jì)劃進(jìn)行。 　　45納米芯片很有意義，許多專家都預(yù)測(cè)這將是多年來(lái)最困難的芯片之一，發(fā)熱量和性能要求都會(huì)很高，英特爾管理人員波爾表示：“這每次都增加一些困難，但是我們采用了新技術(shù)和方法。” 　　英特爾考慮在2009年推出32納米芯片，可能會(huì)采用浸入蝕刻法，EUV可能用于2011年開(kāi)始的22納米芯片的制造。