美海軍研究辦公室授予美道康寧公司360萬(wàn)美元的合同研制半導(dǎo)體碳化硅（SiC）材料技術(shù)。道康寧半導(dǎo)體公司將利用這筆經(jīng)費(fèi)提高其制造直徑為100mm的器件品質(zhì)的碳化硅基層的能力。 碳化硅材料是繼第一代硅材料和第二代砷化鎵（GaAs）材料后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和濃度等特點(diǎn)，它將逐步取代現(xiàn)有的硅和砷化鎵器件。 碳化硅材料技術(shù)在軍用和航天領(lǐng)域的高溫、高頻、大功率電子系統(tǒng)方面具有優(yōu)越的應(yīng)用價(jià)值，例如美海軍高性能先進(jìn)雷達(dá)系統(tǒng)、電池電話基本系統(tǒng)、混合電子車輛及功率柵格網(wǎng)絡(luò)等。 另外，利用碳化硅材料制成的RAM芯片在速度和存儲(chǔ)密度方面，與當(dāng)前計(jì)算機(jī)中使用的RAM內(nèi)存芯片相當(dāng)，但能夠在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)，且計(jì)算機(jī)能夠在瞬間啟動(dòng)起來(lái)。