5月23日獲悉，中國科學院北京半導體研究所(ISCAS)采用他們提供的Thomas Swan MOCVD設備開發(fā)出世界首個近紫外波長的半導體激光器。 據(jù)介紹，中科院半導體所2年前安裝此設備，主要用于GaN器件的研究。經過2年多時間的努力，在集成光電子國家重點實驗室楊輝教授的帶領和陳良惠教授帶領的另外一個組的配合下，他們成功開發(fā)了中國大陸第一個近紫外光的半導體激光器。這種激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱結構作為有源層，AlGaN/GaN超晶格作為包層，光波長為410nm。